Реферат Виготовлення кристалів

КРИСТАЛЬНОЕ ВИРОБНИЦТВО

ОТЧЕТ ПО ПРОВЕДЕННЫМ ЭКСКУРСИЯМ

У результаті практики було проведено екскурсія в цеху кристального виробництва, у якої ознайомилися з такими ділянками:

Ділянка чистої хімії;

Ділянка нанесення фоторезиста;

Ділянка фотокопії;

Ділянка технохимии;

Ділянка плазмохимического травлення;

Ділянка дифузії;

Ділянка іонного легування;

Ділянка нанесення діелектричних плівок;

Ділянка напилювання;

Ділянка контролю електрофізичних параметрів;

Ділянка випробувань.

ВВОДНАЯ ЧАСТИНА

Микросхема 564ИЕ10

Микросхема містить дві окремі четырехразрядных двійкових лічильника. Триггеры кожного їх встановлюються у початковий стан (нульовий) під час подачі рівня 1 на вхід R. Триггеры лічильників 564ИЕ10 переключаються в останній момент спаду імпульсів позитивної полярності на вході СВ за 23-24-відсоткового рівня 0 на вході CN. Можлива подача імпульсів негативною полярності на вхід CN за 23-24-відсоткового рівня 1 на вході СВ. Отже, входи CP і CN об'єднані логічного функцією І. При поєднанні мікросхем 564ИЕ10 в многоразрядный лічильник з послідовним перенесенням висновки 8 підключаються до входам СВ наступних, але в входи CN подають рівень 0.

На лічильнику 564ИЕ10 взяток дільник частоти з коефіцієнтом розподілу від 2 до 15.

Рис. 1. Графічне зображення МС 564ЕИ10 Рис. 2. Тимчасова діаграма роботи лічильника 564ИЕ10

МАРШРУТ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛА 564ИЕ10

1. Формування партії пластин.

2. Гидромеханическая відмивання пластин.

3. Хімічна обробка.

Суміш Каро (H2SO4+H2O2), перикисьно-амиачная суміш. Устаткування—

лінія “Лада 125”.

4. Окисление 1.

Установки СДОМ, АДС. Температура 1000ОС. О2+пар.

5. Фотолітографія.

Формування області р-кармана.

5.1. Нанесення фоторезиста.

Фоторезист — ФП383.

Установка ХБС.

5.2. Поєднання експонування пластин ЭМ — 576А.

5.3. Прояв фоторезиста.

Проявитель — їдкий калій.

5.4. Дубление фоторезиста.

Установки “Лада”.

5.5. Травление окисной плівки.

Буферный травитель.

5.6. Контроль.

6. Ионное легування.

Бор 1. “Карман”. Установка “Лада 30”.

7. Зняття фоторезиста.

7.1. Плазма. Установка “08 ВГО 100Т-001”

7.2. Суміш Каро.

8. Хімічна обробка.

9. Разгонка бору. “Карман”.

Температура 1200ОС. О2+азот.

10. Друга фотолітографія.

Формування областей стік- джерело р-канальных транзисторів і р+-охраны.

11. Ионное легування.

Бор 2 . Стік- джерело. Установка “Везувий-3М”.

12. Зняття фоторезиста.

Плазма і суміш Каро.

13. Хімічна обробка.

14. Разгонка бору. Стік- джерело.

Температура 1000ОС, О2+пар.

15. Третя фотолітографія.

Формування областей стік- джерела n-канальных транзисторів і n+-охраны.

16. Хімічна обробка.

17. Загонка фосфору (дифузний метод).

Температура 900ОС. Диффузант — POCl3.

18. Зняття фосфорселикатного скла.

HF : H2O =1 :10.

19. Разгонка фосфору.

Температура 1000ОС. О2+пар.

20. 4Я фотолітографія.

Розтин областей під затвор і контактні вікна.

21. Окисление 2 — подзатворный діелектрик.

Температура 1000ОС. О2+HCl.

22. Стабілізація фосфору.

Температура 900ОС. Диффузант — POCl3.

23. Подлегирование.

24. Отжиг подзатворного диэлектрика.

25. 5Я фотолітографія.

Розтин контактних вікон.

26. Хімічна обробка.

27. Напыление Al+Si.

Установка “Магна 2М”.

28. 6Я фотолітографія.

Формування алюмінієвої розведення.

29. Вжигание алюмінію.

Температура 475ОС в азоті.

30. Нанесення захисного окисла.

Температура 400ОС. SiH4+O2.

Установка “Аксин”.

31. 7Я фотолітографія.

Розтин контактних майданчиків.

32. 8Я фотолітографія.

Захист пластин фоторезистом.

33. Контроль ВАХ (пробивное напруга, граничне напруга, пряме напруга й ін.).

34. Контроль електричних параметрів.

35. Контроль зовнішнього вигляду.

ОПЕРАЦІЯ СПЕЦОКИСЛЕНИЕ

Устаткування.

система диффузионная (див табл. 1)

стіл монтажний СМ-4 А2МО 238 001 ТУ

реактор кварцовий

Схожі реферати:

Навігація