Реферати українською » Радиоэлектроника » Визначення параметрів p-n переходу


Реферат Визначення параметрів p-n переходу

«МАТИ»-РГТУ

їм. До. Еге. Ціолковського

тема: «Визначення параметрів p-n переходу»

Кафедра: "Xxxxxxxxxx xxxxxxxxxx

        xxxxxxxxxxxxxxxx"

Курсова робота

студент Хxxxxxxx X. X. група XX-X-XX

дата здачі

оцінка

                            

     

                                                                                                                                                                        

р. Москва 2001 рік

Оглавление:

 

1. Вихідні дані

3

2. Аналіз вихідних даних

3

3. Розрахунок фізичних параметрів p- і n- областей

3

а) ефективні щільності станів для зони провідності і валентною зони 3
б) власна концентрація 3
у безвихідь рівня Фермі 3
р) концентрації основних та неосновних носіїв заряду 4
буд) удільні електропровідності p- і n- областей 4
е) коефіцієнти диффузий електронів і дірок 4
ж) диффузионные довжини електронів і дірок 4

4. Розрахунок параметрів p-n переходу

4

a) величина рівноважного потенційного бар'єра 4
б) контактна різницю потенціалів 4
в) ширина ОПЗ 5
р) бар'єрна ёмкость при нульовому зміщення 5
буд) теплової зворотний струм переходу 5
е) графік ВФХ 5
ж) графік ВАХ 6, 7
5. Висновок

7

6. Література

8

1. Вихідні дані

1) матеріал напівпровідника – GaAs

2) тип p-n перехід – різкий і несиметричний

3) теплової зворотний струм () – 0,1 мкА

4) бар'єрна ёмкость () – 1 пФ

5) площа поперечного перерізу ( P.S ) – 1 мм2

6) фізичні властивості напівпровідника

 

 

Ширина забороненої зони, эВ

Рухливість при 300К, м2

Схожі реферати:

Навігація