Реферати українською » Радиоэлектроника » Расчёт і проектування малопотужних біполярних транзисторів


Реферат Расчёт і проектування малопотужних біполярних транзисторів

Саратовський Державний Технічний

Університет

Кафедра «Електронні прилади й устрою»

Курсова робота

На тему:

«Расчёт і проектування малопотужних біполярних транзисторів»

Выполнил: ст. Козачук У. М.

Перевірив: доц. Торопчин У. І.

САРАТОВ 1999 р.

Оглавление.

Оглавление..................................................................................................... 1

1. Запровадження............................................................................................... 2

2. Мета завдання........................................................................................ 2

3. СПІЛЬНА ЧАСТИНА.......................................................................................... 2

3.1 Технічне завдання......................................................................... 2

3.2 Параметри, обрані самостійно........................................... 2

3.3 Перелік використовуваних позначень............................................... 3

4. Вибір технології виготовлення транзистора...................... 5

4.1 Сплавно-диффузионные транзистори............................................... 5

4.2 Структура сплавно-диффузионного p-n-p.......................................... 7

5. ОСНОВНА ЧАСТИНА................................................................................... 8

5.1 Расчёт товщини бази й концентрацій домішок.............................. 8

5.2 Розрахунок коефіцієнта передачі струму............................................... 11

5.3 Розрахунок ємностей і дрібних розмірів переходів.......................................... 11

5.4 Розрахунок опорів ЕС і граничних частот............................... 12

5.5 Розрахунок зворотних струмів колектора.................................................. 14

5.6 Розрахунок параметрів граничного режиму й визначення товщини елементів кристалічною структури......................................................................... 15

5.7 Расчёт експлуатаційних параметрів.............................................. 15

6. Вибір корпусу транзистора............................................................. 16

7. Обговорення результатів................................................................... 18

8. Висновки:..................................................................................................... 18

9. Список використовуваної літератури............................................ 20

  1. Запровадження

 

Використовувані фізичні властивості напівпровідника відомий і використовуються з кінця XIX століття. При винахід радіо О.С. Поповим застосували порошковий когерер, у якому використовувалися нелинейные властивості зернистих структур. У 1923-1924 рр. Лосев О.В. виявив наявність негативного диференціального опору і явище люмінесценції в точкових контактних опорах карбіду кремнію. У 1940 року виготовили перший точковий діод. У 1948 року американський фізик Дж. Бардии, і навіть И.Браштейн розробили і виготовили точечно-контактный транзистор, в 1952 р. вперше створено промислові зразки площинних транзисторів. У 1956 р. почалося виробництво транзисторів з базою, отриманої методом дифузії. На початку 1960-х років було застосовано планарная технологію виготовлення транзисторів. Нині робочі частоти транзисторів досягають 50 ГГц. За рівнем розсіюваною потужності транзистори діляться на малопотужні, середньої та великої потужності.

2. Мета завдання

 

Завданням виконання курсового проекту є розробка малопотужного біполярного транзистора буде в діапазоні, середніх і високих частот.

Метою роботи над проектом є придбання навичок рішення інженерних завдань створення дискретних напівпровідникових приладів, поглиблення знань процесів і конструктивно технологічних особливостей біполярних малопотужних транзисторів.

 

3. СПІЛЬНА ЧАСТИНА

3.1   Технічне завдання.

Технічне завдання містить вимоги до параметрами й умовам експлуатації що практикується приладу. У разі найбільш істотні такі параметри:

1. Номінальний струм колектора Iдо ном=9мА.

2. Номінальне напруга колектора Uдо ном=13В

3. Верхня гранична частота fa=90МГц

4. Максимальна рассеивающая потужність Рдо мах=60мВт

5. Максимальне напруга колектора Uдо мах=18В

6. Максимальний струм колектора Iдо мах=12мА

7. Максимальна робоча температура транзистора Тдо мах=74°С

8. Коефіцієнт передачі струму у схемі з ОЕ

Схожі реферати:

Навігація